9 颗豆豆
90 秒
室温下，对于硅、锗、砷化镓来说，可以认为本征半导体的费米能级位于（）
禁带中线
2. 单选题
90 秒
对于P型半导体，满足以下（）
EF=Ei；n0=p0
EF>Ei；n0>p0
EF<Ei；n0<p0
EF<Ei；n0>p0
3. 判断题
90 秒
当电子与空穴浓度相等时,导带电子的电荷密度(-q)n同价带空穴的电荷密度(+q)p大小相等，符号相反，半导体处于电中性状态,通常称这种关系为电中性条件或电中性方程。
对
错
4. 多选题
90 秒
本征半导体的载流子浓度与()有关
杂质浓度
温度
半导体的能带结构
杂质类型
5. 判断题
90 秒
ni2=n0p0仅适用于本征半导体，非简并的杂质半导体不适用。
对
错
6. 多选题
90 秒
ni2 =n0p0的意义为（）
可作为判断半导体材料是否达到热平衡的判据
不可作为判断半导体材料是否达到热平衡的判据
热平衡条件下，若已知ni和一种载流子浓度，则可以利用该式求出另外一种载流子浓度
热平衡条件下，若已知ni和一种载流子浓度，则可以利用该式求出另外一种载流子浓度，只适用于本征半导体
7. 单选题
90 秒
制作半导体器件用（）
本征半导体
高度补偿杂质半导体
含有一定杂质的半导体材料
8. 判断题
90 秒
不同半导体，Eg小对应的器件工作温度高
对
错
9. 判断题
90 秒
同种半导体，掺杂大，对应的ni大，极限温度高，所以高掺杂不利于器件高温工作。
对
错