杂质能级只能容纳一个任意自旋的电子或不被电子占据
杂质能级被占据的几率可以用标准的费米分布函数
无杂质补偿的n型半导体电中性条件为()
n=p
n=nD++p
n+pA-=nD++p
p=n+pA-
在相同温度下,杂质浓度小的材料,电离程度强
在(),载流子浓度是一定的,这时器件能稳定工作。
低温区
过渡区
强电离区
高温本征激发区
器件都有一定的极限工作温度,以下()极限工作温度高,适合做大功率器件
硅
锗
砷化镓
依靠少子工作的半导体器件的性能不会受到温度影响
对于无杂质补偿的n型半导体,属于强电离区特征的是()
只有少量施主杂质被电离
本征激发可以忽略
杂质全部电离
本征激发不可以忽略