在集成电路制造中，注入离子的能量一般为（），进入靶内的离子不仅与靶内的自由电子和束缚电子发生相互作用，而且与靶内原子核相互作用。

应用离子注入技术主要是为了进行掺杂，分为两个步骤：()

掺杂工艺包括（）。

离子束准确地沿着晶向注入，进入沟道的离子几乎不会受到原子散射，这部分离子能量损失小，将穿过较大距离，这种现象称为（）。 

LSS理论认为注入离子在靶内的能量损失分为（）。

碰撞中靶原子移位，该移位原子再碰撞其它原子，使其它原子再移位的现象称为（）。